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合肥長鑫內存開始供貨 一期內存芯片產(chǎn)能預計將占全球產(chǎn)能的10%

2019年9月20日,合肥長鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內存,他們成為第一個國產(chǎn)內存供應商。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對外供應DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。

關于長鑫的DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組我們之前有過詳細介紹,現(xiàn)在對他們來說最大的問題還是產(chǎn)能。

長鑫國產(chǎn)內存項目有三期,第一期投資約為72億美元,預計產(chǎn)能就有12.5萬片晶圓/月,這個產(chǎn)能跟SK海力士在無錫投資的內存工廠差不多規(guī)模,能占到全球內存芯片產(chǎn)能的10%。

不過此前消息稱當前的產(chǎn)能還只有2萬片晶圓/月,對內存市場不會有什么影響,預計今年底擴展到4萬片晶圓/月,這個產(chǎn)能大概能占到全球內存產(chǎn)能的3%了。

在內存方面,三星是全球第一大內存供應商,份額能占到45%左右,產(chǎn)能規(guī)模是國產(chǎn)公司的十幾二十倍之多,差距還很遙遠。

當然,除了產(chǎn)能上的差距之外,技術上的差距也是個問題,長鑫的內存還是19nm工藝,三星已經(jīng)發(fā)展到了1Znm工藝,領先兩三代左右。

在2019年9月份的GSA+Memory存儲峰會上,長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發(fā)表了《中國存儲技術發(fā)展與解決方案》主題演講,提到了長鑫的DRAM內存技術來源,主要就是已破產(chǎn)的奇夢達公司,獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數(shù)據(jù)。

長鑫公司在此基礎上將奇夢達46nm工藝的內存改進,研發(fā)出了10nm級的自主產(chǎn)權的內存芯片,耗資超過25億美元。

2019年9月21日,在2019世界制造業(yè)大會上,合肥市政府與長鑫存儲技術有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司等就合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約。

合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元,選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū),占地面積約15.2平方公里,由長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園和合肥空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資1500億元;空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園總投資超過200億元,位于長鑫存儲項目以西;合肥空港國際小鎮(zhèn)總投資約500億元,規(guī)劃面積9.2平方公里,總建筑面積420萬平方米,位于長鑫存儲項目以北。

制造基地全部建成后,預計可形成產(chǎn)值規(guī)模超2000億元,集聚上下游龍頭企業(yè)超200家,吸引各類人才超20萬人。

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責任編輯:Rex_01

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